截至13:42，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌1.10%。成分股漲跌互現(xiàn)，華海誠科領(lǐng)漲1.63%，中芯國際上漲1.23%，拓荊科技上漲1.01%；滬硅產(chǎn)業(yè)領(lǐng)跌4.77%，有研硅下跌4.72%，金宏氣體下跌4.24%?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.95%。

消息面上，11月23日~25日，以“凝芯聚力·鏈動(dòng)未來”為主題，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰?/span>承辦的第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)（ICChina2025）即將舉行。

AI服務(wù)器功耗高，數(shù)據(jù)中心需要使用更高功率的供電架構(gòu)。為了應(yīng)對(duì)更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器供電系統(tǒng)各環(huán)節(jié)的效能、功率密度需要進(jìn)一步提高。SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高遷移率等特點(diǎn)，允許材料在更高的溫度和電壓下運(yùn)行，降低能耗和成本。目前頭部廠商正在持續(xù)推動(dòng)SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域應(yīng)用。東方證券指出，展望未來，在AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢(shì)下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應(yīng)用。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（61%）和半導(dǎo)體材料（23%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（61%）、半導(dǎo)體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。