每經(jīng)記者｜朱成祥    每經(jīng)編輯｜魏文藝    

在芯片幾乎全行業(yè)都處于需求上升之際，被視為第三代半導體的碳化硅卻是另外一番風景——無論是海外大廠Wolfspeed，還是國內碳化硅大廠天岳先進，其業(yè)績表現(xiàn)均不佳。

在此背景下，碳化硅行業(yè)盯上了當下最熱門的賽道：先進封裝，特別是2.5D先進封裝。近期，A股碳化硅概念持續(xù)火熱，天岳先進、露笑科技一度受到投資者熱捧。

天岳先進此前曾表示，在先進封裝領域，依托碳化硅高導熱、低翹曲的特性，布局高端散熱中介層相關產品開發(fā)。

然而，蓉和半導體咨詢CEO吳梓豪告訴《每日經(jīng)濟新聞》記者（以下簡稱“每經(jīng)記者”）：“臺積電兩年前的2.5D封裝，使用硅中介層，但如今已經(jīng)使用有機材料，即環(huán)氧樹脂。”

也就是說，碳化硅替代硅應用在中介層的邏輯并不成立，因為中介層已經(jīng)改用環(huán)氧樹脂材料了。

量增價跌，中外碳化硅大廠齊陷虧損泥潭

2025財年，Wolfspeed營業(yè)收入7.58億美元，同比下降6%；歸母凈利潤虧損16.09億美元，相比上年虧損擴大。

國內碳化硅廠商同樣業(yè)績不佳。天岳先進2025年營收14.65億元，同比下降17.15%；歸母凈利潤虧損2.08億元，由盈轉虧。

對于上述業(yè)績表現(xiàn)，天岳先進表示，主要原因系碳化硅襯底產品平均價格下降導致營收及毛利下滑，疊加銷售、研發(fā)費用同比上升，以及所得稅費用和滯納金支出增加等因素。

天岳先進進一步表示，公司碳化硅襯底產品銷量實現(xiàn)顯著增長，市場需求呈現(xiàn)積極釋放態(tài)勢，產銷銜接效率有效提升，銷量增速高于生產量增速，反映出下游應用場景的持續(xù)拓展與滲透率提升。然而，受宏觀經(jīng)濟環(huán)境變化、行業(yè)供需關系動態(tài)調整及產業(yè)階段性因素影響，疊加公司為擴大市場占有率、鞏固行業(yè)地位而實施的主動市場滲透策略，產品平均銷售價格階段性下調。

2025年，天岳先進碳化硅襯底生產量69.04萬片，同比增長68.31%；銷售量63.33萬片，同比增長75.33%。

天岳先進2025年年度報告

在生產量和銷量均快速增長的同時，營業(yè)收入?yún)s反而下降，由此可見碳化硅襯底行業(yè)的競爭何等激烈。

在此背景下，天岳先進表示，盡管價格調整對短期營收規(guī)模形成階段性壓力，導致整體收入同比出現(xiàn)下滑，但公司準確把握市場機遇，通過優(yōu)化產品結構和積極拓展高景氣應用領域，有效擴大了市場份額，夯實了行業(yè)地位。同時，公司持續(xù)推動產品結構升級，深化高景氣賽道布局，為后續(xù)增長奠定基礎。

從中介層到散熱貼片，碳化硅的AI賽道真相

碳化硅襯底主要分為半絕緣型和導電型。半絕緣型主要用于制造氮化鎵外延，用于射頻、快充等領域；導電型主要用于制造碳化硅外延，用于功率MOSFET（金屬—氧化物—半導體場效應晶體管）等器件生產。

那么，天岳先進所指的高景氣賽道又是什么呢？

天岳先進表示，公司于2025年7月與舜宇奧來微納光學（上海）有限公司達成戰(zhàn)略合作，雙方將整合碳化硅材料與光學技術優(yōu)勢，推動碳化硅襯底材料在光學領域應用，開拓新的藍海市場。

在AI數(shù)據(jù)中心供電方案中，公司配合全球頭部功率器件廠商，就下一代電源管理芯片的研發(fā)展開密切合作。

在先進封裝領域，天岳先進配合全球頭部客戶推進SiC（碳化硅）的應用突破。同時，在芯片散熱方向，公司目前已成功將半絕緣碳化硅襯底應用于高功率激光器芯片的散熱層，并已形成批量出貨，驗證了碳化硅散熱在產業(yè)端規(guī)模化應用的可行性。

其中，與AI產業(yè)鏈相關，主要是AI數(shù)據(jù)中心電源以及先進封裝。尤其是先進封裝，正是半導體行業(yè)最受矚目的賽道。

無論是HBM（高帶寬內存）還是2.5D封裝，均離不開Interposer（中介層）。隨著摩爾定律慢慢走向終結，當下芯片發(fā)展的方向不僅僅是微縮，還需要走向立體空間，即2.5D和3D先進封裝。而這兩種封裝方式中，中介層起到至關重要的作用。

此輪碳化硅炒作熱點，很大程度上便是碳化硅在中介層的應用潛力。相比硅，碳化硅的散熱性能要更好。

吳梓豪向每經(jīng)記者表示：“現(xiàn)在中介層不承擔散熱的作用。CoWoS-S（硅中介層2.5D先進封裝）時代，中介層使用硅。早在兩年前，臺積電就已經(jīng)進入CoWoS-L（局部硅互連與再布線混合型2.5D先進封裝）時代，中介層使用環(huán)氧樹脂，這種有機材料不承擔散熱作用?！?/p>

“CoWoS-L的散熱，需要靠液冷，與中介層沒有關系。而CoWoS-L的下一代是CoPoS（芯片—面板—基板封裝），這種技術使用的是玻璃基板，與碳化硅也沒有關系。”吳梓豪補充道。

簡而言之，碳化硅替代的是上一代CoWoS-S的硅中介層。當下主流CoWoS-L和下一代CoPoS，均不會使用碳化硅作為中介層。即碳化硅確實比硅散熱性能好，但當下技術并不使用中介層散熱，而下一代技術直接使用玻璃基板。

那么，臺積電使用碳化硅的傳言，又是如何流傳的呢？吳梓豪解釋稱：“今年1月份，臺積電測試碳化硅、金剛石。因此，中國臺灣市場開始傳碳化硅（的消息）。不過，臺積電是測試碳化硅、金剛石作為散熱貼片，而不是做Interposer。然而，臺積電最后散熱貼片的選擇還是金剛石，而非碳化硅?！?/p>

碳化硅襯底在未來AIDC（人工智能數(shù)據(jù)中心）、散熱材料領域擁有較大的發(fā)展?jié)摿?，而不是“當紅炸子雞”先進封裝。

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